3,3,4,4-difenüülsulfoontetrakarboksüüldianhüdriid/DSDA cas: 2540-99-0

Lühike kirjeldus:

3,3,4,4-difenüülsulfoontetrakarboksüüldianhüdriid on valge kristalne ühend, mis on tuntud oma erakordse keemilise stabiilsuse ja ainulaadsete struktuursete omaduste poolest.C20H8O7S2 molekulaarvalemiga ainet kasutatakse laialdaselt erinevates valdkondades, sealhulgas polümeeride keemias, materjaliteaduses ja elektroonikas.

Saatke meile e-kiri

Toote üksikasjad

Tootesildid

Eelised:

1. Kõrge puhtusaste: meie 3,3,4,4-difenüülsulfoontetrakarboksüüldianhüdriid tagab puhtuse taseme, mis ületab 99%, tagades reprodutseeritavad tulemused ja minimeerides lisandite segamist.

2. Suurepärane lahustuvus: lahustub tõhusalt erinevates orgaanilistes lahustites, see ühend võimaldab hõlpsasti töödelda ja lisada soovitud koostisesse, muutes selle hästi kohandatavaks teie konkreetsete eksperimentaalsete vajadustega.

3. Stabiilsus: Erinevates keskkonnatingimustes, nagu kuumus, valgus ja niiskus, näitab meie toode erakordset stabiilsust, pakkudes teile töökindlust ja järjepidevust pikaajalisel kasutamisel.

4. Mitmekülgsus: oma mitmekülgsete omadustega 3,3,4,4-difenüülsulfoontetrakarboksüüldianhüdriidi leiab rakendust paljudes tööstusharudes.Alates selle kasutamisest ristsiduva ainena suure jõudlusega polümeerides kuni selle potentsiaalini molekulaarelektroonikas on sellel kemikaalil suurepärane mitmekülgsus.

Rakendused:

1. Polümeeride keemia: Kaasaegse polümeeri sünteesi esirinnas aitab see ühend suure jõudlusega materjalide, kattekihtide ja liimide tootmisel, suurendades nende termilist stabiilsust ja mehaanilist tugevust.

2. Elektroonilised materjalid: oma ainulaadse struktuuri tõttu leiab 3,3,4,4-difenüülsulfoontetrakarboksüüldianhüdriidi rakendusi molekulaarelektroonikas, orgaanilistes pooljuhtides ja juhtivates polümeerides, olles nende sünteesimisel asendamatu ehitusplokk.

3. Materjaliteadus: Sukeldudes materjalide maailma sügavamale, aitab see ühend kaasa täiustatud komposiitide, kilede ja membraanide loomisele, käsitledes vajadust täiustatud struktuuriomaduste ja barjäärifunktsioonide järele.